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[ 曝光机 ]的优缺点:
缺点:光刻胶污染掩膜板;掩膜板的磨损,容易损坏,寿命很低(只能使用5~25次);容易累积缺陷;上个世纪七十年代的工业水准,已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了,国产光刻机均为接触式曝光,国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。
b、接近式曝光(Proximity Printing):掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙(Gap),Gap大约为0~200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤,使掩膜和光刻胶基底能耐久使用;掩模寿命长(可提高10 倍以上),图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。
c、投影式曝光(Projection Printing)在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点提高了分辨率掩膜板的制作更加容易掩膜板上的缺陷影响减小。
[曝光机]一般根据操作的简便性分为三种,手动,半自动,全自动,光刻机又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干,涂底,旋涂光刻胶,软烘,对准曝光,后烘,显影,硬烘,刻蚀等工序。
光刻意思是用光来制作一个图形(工艺),在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
[曝光机]的曝光分类:
a、接触式曝光(Contact Printing)掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当,设备简单。接触式,根据施加力量的方式不同又分为软接触,硬接触和真空接触。
1、软接触就是把基片通过托盘吸附住(类似于匀胶机的基片放置方式),掩膜盖在基片上面;
2、硬接触是将基片通过一个气压(氮气),往上顶,使之与掩膜接触;
3、真空接触是在掩膜和基片中间抽气,使之更加好的贴合(想一想把被子抽真空放置的方式);
软<硬<真空接触的越紧密,分辨率越高,当然接触的越紧密,掩膜和材料的损伤就越大。
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